1947... John Bardeen e Walter Brattain da "AT&T’s Bell Labs" nos Estados Unidos, fizeram experiências e observaram que quando dois contactos com pontas de ouro eram aplicados num cristal de germanium, o signal produzido saía com mais potência do que o sinal de entrada.
William Shockley da "Solid State Physics" viu o potencial desta descoberta e trabalhou durante os meses seguintes para aumentar os seus conhecimentos sobre semicondutores.
Em 1947 Bardeen, Brattain e Shockley viriam a inventar o primeiro Transístor de Contacto de Ponta e receberiam por isso em 1956 o Prémio Nobel da Física “pelo seu estudo sobre os semicondutores e a sua descoberta do efeito Transístor”.
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